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深圳市月盛電子有限公司供應(yīng)歐姆龍G3VM-351G MOS FET繼電器
MOS FET和紅外發(fā)光二極管進(jìn)行光結(jié)合的高度為2.1mm的薄小平型小外形封裝MOS FET繼電器
? 更新G3VM-S2系列。
? 連續(xù)負(fù)載電流110mA。
? 輸出適用負(fù)載有2A、3A。
歐姆龍G3VM-351G 電氣性能(Ta =25℃)
項目 | 符號 | 最小 | 標(biāo)準(zhǔn) | 最大 | 單位 | 條件 | |
輸入側(cè) | LED正向電壓 | VF | 1.0 | 1.15 | 1.3 | V | IF=10mA |
反向電流 | IR | — | — | 10 | μA | VR=5V | |
端子間電容 | CT | — | 30 | — | pF | V=0、f=1MHz | |
觸發(fā)LED正向電流 | IFT | — | 1 | 3 | mA | IO=100mA | |
復(fù)位LED正向電流 | IFC | 0.1 | — | — | mA | IOFF=100μA | |
輸出側(cè) | 最大輸出導(dǎo)通電阻 | RON | — | 25 | 35 | Ω | IF=5mA、IO=110mA、t<1s |
— | 35 | 50 | Ω | IF=5mA、IO=110mA | |||
開路時漏電流 | ILEAK | — | — | 1.0 | μA | VOFF=350V | |
端子間電容 | COFF | — | 30 | — | pF | V=0、f=1MHz | |
輸入輸出間電容 | CI-O | — | 0.8 | — | pF | f=1MHz、VS=0V | |
輸入輸出間電容絕緣電阻 | RI-O | 1000 | 108 | — | MΩ | VI-O=500VDC、RoH≦60% | |
動作時間 | tON | — | 0.3 | 1.0 | ms |
IF=5mA、RL=200Ω、 VDD=20V(注2) |
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復(fù)位時間 | tOFF | — | 0.1 | 1.0 | ms |
(注2): 動作· 復(fù)位時間
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