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G3VM-351G

G3VM-351G MOS FET繼電器 MOS FET和紅外發(fā)光二極管進(jìn)行光結(jié)合的高度為2.1mm的薄小平型小外形封裝MOS FET繼電器 ? 更新G3VM-S2系列。 ? 連續(xù)負(fù)載電流110mA。 ? 輸出適用負(fù)載有2A、3A。
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深圳市月盛電子有限公司供應(yīng)歐姆龍G3VM-351G MOS FET繼電器
MOS FET和紅外發(fā)光二極管進(jìn)行光結(jié)合的高度為2.1mm的薄小平型小外形封裝MOS FET繼電器
? 更新G3VM-S2系列。
? 連續(xù)負(fù)載電流110mA。
? 輸出適用負(fù)載有2A、3A。

歐姆龍G3VM-351G 電氣性能(Ta 25

項目 符號  最小  標(biāo)準(zhǔn)  最大  單位  條件 
輸入側(cè)  LED正向電壓  VF 1.0  1.15  1.3  IF=10mA
反向電流  IR —  —  10  μ VR=5V
端子間電容  CT —  30  —  pF  V=0、f=1MHz
觸發(fā)LED正向電流 IFT 3 mA IO=100mA
復(fù)位LED正向電流 IFC  0.1   mA  IOFF=100μA
輸出側(cè)  最大輸出導(dǎo)通電阻  RON —  25  35  Ω  IF=5mA、IO=110mA、t<1s
—  35  50  Ω IF=5mA、IO=110mA
開路時漏電流  ILEAK —  —  1.0  μA  VOFF=350V
端子間電容 COFF 30 pF V=0、f=1MHz
輸入輸出間電容  CI-O —  0.8  —  pF  f=1MHz、VS=0V
輸入輸出間電容絕緣電阻  RI-O 1000   108 —  MΩ  VI-O=500VDC、RoH≦60%
動作時間  tON —  0.3  1.0  ms  IF=5mA、RL=200Ω、
V
DD=20V(注2) 
復(fù)位時間  tOFF —  0.1  1.0  ms 

(注2): 動作· 復(fù)位時間

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