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G3VM-62C1

G3VM-62C1/F1 MOS FET繼電器最適合應(yīng)用于模擬信號(hào)開關(guān)的MOS FET繼電器可對(duì)應(yīng)AC2.5kV的輸入輸出間耐壓和開閉大電流場(chǎng)合 ? 負(fù)載電壓60V系列中增加了雙通道型。 ? 可用于微小模擬信號(hào)的開關(guān)。

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深圳市月盛電子有限公司供應(yīng)歐姆龍G3VM-62C1/F1 MOS FET繼電器
最適合應(yīng)用于模擬信號(hào)開關(guān)的MOS FET繼電器
可對(duì)應(yīng)AC2.5kV的輸入輸出間耐壓和開閉大電流場(chǎng)合
? 負(fù)載電壓60V系列中增加了雙通道型。
? 可用于微小模擬信號(hào)的開關(guān)。

■歐姆龍MOS繼電器G3VM-62C1電氣性能（Ta ＝25℃）

項(xiàng)目		符號(hào)	最小	標(biāo)準(zhǔn)	最大	單位	條件
輸入側(cè)	LED正向電壓	VF	1.0	1.15	1.3	V	IF=10mA
	反向電流	IR	—	—	10	μA	VR＝5V
	端子間電容	CT	—	30	—	pF	V=0、f=1MHz
	觸發(fā)LED正向電流	I_FT	—	1.6	3	mA	I_O=500mA
	復(fù)位LED正向電流	I_FC	0.1	—	—	mA	I_OFF=100μA
輸出側(cè)	最大輸出導(dǎo)通電阻	RON	—	1.0	2.0	Ω	IF＝5mA、IO＝500mA
	開路時(shí)漏電流	ILEAK	—	—	1.0	μA	VOFF=60V
	端子間電容	C0FF	—	130	—	pF	V=0、f=1MHz
輸入輸出間電容		CI-O	—	0.8	—	pF	f=1MHz、VS=0V
輸入輸出間電容絕緣電阻		RI-O	1000	10⁸	—	MΩ	VI-O＝500VDC、ROH≦60%
動(dòng)作時(shí)間		tON	—	0.8	2.0	ms	IF=5mA 、RL=200Ω、VDD=20V（注2）
復(fù)位時(shí)間		tOFF	—	0.1	0.5	ms	IF=5mA 、RL=200Ω、VDD=20V（注2）

（注2）: 動(dòng)作· 復(fù)位時(shí)間

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